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寬帶 OM5 彎曲不敏感多模光纖
Description
特性
● 為多波長傳輸系統(tǒng)優(yōu)化設計
● 在850~950nm波長范圍內具有高帶寬
● 與現有OM4光纖兼容
● 優(yōu)越的幾何一致性
● 低衰減
● 高帶寬
● 低差分模時延（DMD）
● 非常低的宏彎敏感性
● 采用北億纖通專有雙層紫外光固化丙烯酸酯涂層
優(yōu)勢和應用
● 支持40&100&400 Gb/S的單波長和多波長的傳輸系統(tǒng)
● 數據中心
● 數據存儲網絡
● 高性能計算中心
● 辦公中心
● 局域網
● 支持在小彎曲半徑下使用和安裝光纜
● 優(yōu)良的抗微彎性能
● 用于緊套光纜性能優(yōu)越
● 在多種環(huán)境條件下保持性能穩(wěn)定
規(guī)格參數
|
特性 |
條件 |
數據 |
單位 |
|---|---|---|---|
|
幾何特性 |
|||
|
芯直徑 |
-- |
50±2.5 |
[μm] |
|
芯不圓度 |
-- |
≤5.0 |
[%] |
|
包層直徑 |
-- |
125.0±1.0 |
[μm] |
|
包層不圓度 |
-- |
≤0.6 |
[%] |
|
涂層直徑 |
-- |
245±7 |
[μm] |
|
涂層/包層同心度 |
-- |
≤10.0 |
[μm] |
|
涂層不圓度 |
-- |
≤6.0 |
[%] |
|
芯層/包層同心度 |
-- |
≤1.0 |
[μm] |
|
光纖長度 |
-- |
最長到8.8 |
[km/盤] |
|
光學特性 |
|||
|
衰減 |
850nm |
≤2.4 |
[dB/km] |
|
953nm |
≤1.7 |
[dB/km] |
|
|
1300nm |
≤0.6 |
[dB/km] |
|
|
滿注入帶寬 |
850nm |
≥3500 |
[MHz·km] |
|
953nm |
≥1850 |
[MHz·km] |
|
|
1300nm |
≥500 |
[MHz·km] |
|
|
有效模式帶寬 |
850nm |
≥4700 |
[MHz·km] |
|
953nm |
≥2470 |
[MHz·km] |
|
|
鏈路長度 |
-- |
-- |
-- |
|
100Gb/s WDM1 |
-- |
150 |
[m] |
|
40Gb/s WDM1 |
-- |
440 |
[m] |
|
40GBASE-SR4 / 100GBASE-SR102 |
850nm |
200 |
[m] |
|
數值孔徑 |
-- |
0.200±0.015 |
-- |
|
群折射率 |
850nm |
1.482 |
-- |
|
1300nm |
1.477 |
-- |
|
|
零色散波長 |
-- |
1297-1328 |
[nm] |
|
零色散斜率 |
-- |
≤4（-103）/（840（λ0 /840)4) |
[ps/(nm2·km)] |
|
宏彎損耗3 |
-- |
@850nm @1300nm |
-- |
|
2圈，半徑15mm |
-- |
≤0.1 ≤0.3 |
[dB] |
|
2圈，半徑7.5mm |
-- |
≤0.2 ≤0.5 |
[dB] |
|
背向散射特性 850nm 和 1300nm |
|||
|
臺階（雙向測量的平均值） |
-- |
≤0.10 |
[dB] |
|
長度方向的不規(guī)律性和點不連續(xù)性 |
-- |
≤0.10 |
[dB] |
|
衰減不均勻性 |
-- |
≤0.08 |
[dB/km] |
|
環(huán)境特性 850nm 和 1300nm |
|||
|
溫度附加衰減 |
-60℃ 到85℃ |
≤0.10 |
[dB/km] |
|
溫度-濕度循環(huán)附加衰減 |
-10℃ 到85℃，4%到98% 相對濕度 |
≤0.10 |
[dB/km] |
|
浸水附加衰減 |
23℃, 30 天 |
≤0.10 |
[dB/km] |
|
干熱附加衰減 |
85℃，30天 |
≤0.10 |
[dB/km] |
|
濕熱附加衰減 |
85℃和85%相對濕度，30天 |
≤0.10 |
[dB/km] |
|
機械特性 |
|||
|
篩選張力 |
-- |
≥9.0 |
[N] |
|
-- |
≥1.0 |
[%] |
|
|
-- |
≥100 |
[kpsi] |
|
|
涂層剝離力 |
典型平均剝離力 |
1.5 |
[N] |
|
峰值力 |
≥1.3，≤8.9 |
[N] |
|
|
動態(tài)疲勞參數（nd, 典型值） |
-- |
20 |
-- |
備注： 1、SWDM協議支持距離
2、光纜在850 nm的最大衰減為3.0 dB/km、熔接/連接器的最大總損耗為1.0 dB以及VCSEL的最大均方根譜寬≤ 0.45 nm情況下的支持距離
3、宏彎損耗測試的注入條件需滿足IEC 61280-4-1標準
Important Notice
Performance figures, data and any illustrative material provided in this data sheet are typical and must be specifically confirmed in writing by F-tone Networks before they become applicable to any particular order or contract. In accordance with the F-tone Networks policy of continuous improvement specifications may change without notice.
The publication of information in this data sheet does not imply freedom from patent or other protective rights of F-tone Networks or others. Further details are available from any F-tone Networks sales representative.
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