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特性
● 為多波長傳輸系統(tǒng)優(yōu)化設(shè)計(jì)
● 在850~950nm波長范圍內(nèi)具有高帶寬
● 與現(xiàn)有OM4光纖兼容
● 優(yōu)越的幾何一致性
● 低衰減
● 高帶寬
● 低差分模時(shí)延(DMD)
● 非常低的宏彎敏感性
● 采用北億纖通專有雙層紫外光固化丙烯酸酯涂層
優(yōu)勢和應(yīng)用
● 支持40&100&400 Gb/S的單波長和多波長的傳輸系統(tǒng)
● 數(shù)據(jù)中心
● 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)
● 高性能計(jì)算中心
● 辦公中心
● 局域網(wǎng)
● 支持在小彎曲半徑下使用和安裝光纜
● 優(yōu)良的抗微彎性能
● 用于緊套光纜性能優(yōu)越
● 在多種環(huán)境條件下保持性能穩(wěn)定
規(guī)格參數(shù)
特性 |
條件 |
數(shù)據(jù) |
單位 |
---|---|---|---|
幾何特性 |
|||
芯直徑 |
-- |
50±2.5 |
[μm] |
芯不圓度 |
-- |
≤5.0 |
[%] |
包層直徑 |
-- |
125.0±1.0 |
[μm] |
包層不圓度 |
-- |
≤0.6 |
[%] |
涂層直徑 |
-- |
245±7 |
[μm] |
涂層/包層同心度 |
-- |
≤10.0 |
[μm] |
涂層不圓度 |
-- |
≤6.0 |
[%] |
芯層/包層同心度 |
-- |
≤1.0 |
[μm] |
光纖長度 |
-- |
最長到8.8 |
[km/盤] |
光學(xué)特性 |
|||
衰減 |
850nm |
≤2.4 |
[dB/km] |
953nm |
≤1.7 |
[dB/km] |
|
1300nm |
≤0.6 |
[dB/km] |
|
滿注入帶寬 |
850nm |
≥3500 |
[MHz·km] |
953nm |
≥1850 |
[MHz·km] |
|
1300nm |
≥500 |
[MHz·km] |
|
有效模式帶寬 |
850nm |
≥4700 |
[MHz·km] |
953nm |
≥2470 |
[MHz·km] |
|
鏈路長度 |
-- |
-- |
-- |
100Gb/s WDM1 |
-- |
150 |
[m] |
40Gb/s WDM1 |
-- |
440 |
[m] |
40GBASE-SR4 / 100GBASE-SR102 |
850nm |
200 |
[m] |
數(shù)值孔徑 |
-- |
0.200±0.015 |
-- |
群折射率 |
850nm |
1.482 |
-- |
1300nm |
1.477 |
-- |
|
零色散波長 |
-- |
1297-1328 |
[nm] |
零色散斜率 |
-- |
≤4(-103)/(840(λ0 /840)4) |
[ps/(nm2·km)] |
宏彎損耗3 |
-- |
@850nm @1300nm |
-- |
2圈,半徑15mm |
-- |
≤0.1 ≤0.3 |
[dB] |
2圈,半徑7.5mm |
-- |
≤0.2 ≤0.5 |
[dB] |
背向散射特性 850nm 和 1300nm |
|||
臺(tái)階(雙向測量的平均值) |
-- |
≤0.10 |
[dB] |
長度方向的不規(guī)律性和點(diǎn)不連續(xù)性 |
-- |
≤0.10 |
[dB] |
衰減不均勻性 |
-- |
≤0.08 |
[dB/km] |
環(huán)境特性 850nm 和 1300nm |
|||
溫度附加衰減 |
-60℃ 到85℃ |
≤0.10 |
[dB/km] |
溫度-濕度循環(huán)附加衰減 |
-10℃ 到85℃,4%到98% 相對濕度 |
≤0.10 |
[dB/km] |
浸水附加衰減 |
23℃, 30 天 |
≤0.10 |
[dB/km] |
干熱附加衰減 |
85℃,30天 |
≤0.10 |
[dB/km] |
濕熱附加衰減 |
85℃和85%相對濕度,30天 |
≤0.10 |
[dB/km] |
機(jī)械特性 |
|||
篩選張力 |
-- |
≥9.0 |
[N] |
-- |
≥1.0 |
[%] |
|
-- |
≥100 |
[kpsi] |
|
涂層剝離力 |
典型平均剝離力 |
1.5 |
[N] |
峰值力 |
≥1.3,≤8.9 |
[N] |
|
動(dòng)態(tài)疲勞參數(shù)(nd, 典型值) |
-- |
20 |
-- |
備注: 1、SWDM協(xié)議支持距離
2、光纜在850 nm的最大衰減為3.0 dB/km、熔接/連接器的最大總損耗為1.0 dB以及VCSEL的最大均方根譜寬≤ 0.45 nm情況下的支持距離
3、宏彎損耗測試的注入條件需滿足IEC 61280-4-1標(biāo)準(zhǔn)
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